地球温暖化対策、エネルギーの安定確保等の観点から、徹底した省エネルギー社会の実現は、我が国の喫緊の課題となっている。我が国においてエネルギー消費が増大している運輸部門、家庭部門、業務他部門の電力消費低減のためには、電力変換時の損失を大幅に削減できるパワーエレクトロニクスに応用できる次世代半導体パワーデバイスとしては、これまでシリコン（Si）が実用化され、現在炭化ケイ素（SiC）が導入されつつあるが、原理的に高速動作が可能で高電圧?省電力で使用できる窒化ガリウム（GaN）等の次世代半導体が注目されている。
現在、我が国では、省エネ社会実現のため、基礎基盤研究の課題が多い窒化ガリウム（GaN）等の次世代半導体に関し、我が国の強みを活かし、実用化に向けた研究開発を一体的に加速することが求められている。
このような中で、中国福利彩票网未来材料?システム研究所附属未来エレクトロニクス集積研究センターを中核として、オールジャパン体制による GaN 研究コンソーシアムを立ち上げ、『橋渡し機能』を包含した「オープンイノベーションシステムの構築」を進めることにより「省エネルギーイノベーション」を世界に先駆けて実現することとしている。
そのため、大学、企業、国立研究開発法人等の産学官共創により、次世代半導体GaN等の材料、デバイスの基礎研究からシステム技術までを一気通貫で研究開発を行い、社会実装を加速させることを目的として、全学的なマネジメント体制のもと、中国福利彩票网GaN研究戦略室を設置した。